Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/9671
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorРеков, Ю.В.-
dc.contributor.authorЧервоный, И.Ф.-
dc.contributor.authorКисарин, О.А.-
dc.contributor.authorЯркин, В.Н.-
dc.contributor.authorКуцова, В.З.-
dc.contributor.authorЕгоров, С.Г.-
dc.date.accessioned2012-03-23T10:47:12Z-
dc.date.available2012-03-23T10:47:12Z-
dc.date.issued2010-
dc.date.submitted2009-
dc.identifier.citationНаукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя: металургія. Випуск: 12(177) - Донецьк: ДонНТУ. - 2009en_US
dc.identifier.otherУДК 621.315.592-
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/9671-
dc.descriptionThe work has considered particulaties of silicon bases growth with diameter 6...10mm for future obtaining of polycrystalline silicon by hydrogen reducing method of chlorsilans.en_US
dc.description.abstractРассмотрены особенности выращивания кремниевых основ диаметром 6...10мм для последующего получения поликристаллического кремния методом водородного восстановления хлорсиланов.en_US
dc.publisherДонецький національний технічний університетen_US
dc.subjectполикристаллический кремний,технология выращивания,водородное восстановление, хлорсилан,температурный градиент,механическая прочностьen_US
dc.subjectpolycrystalline silicon,growth technology,hydrogen reducing,chlorsilan,thermal gradient,mechanical strengthen_US
dc.titleОсобенности технологий кремниевых основ для получения поликристаллического кремнияen_US
dc.title.alternativeThe Features of Technology of Silicon Bases for Obtaining Polycrystalline Siliconen_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:2010_Випуск 12(177)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
242-250.pdf6,21 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.