Donetsk National Technical University
Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/9671| Title: | Особенности технологий кремниевых основ для получения поликристаллического кремния |
| Other Titles: | The Features of Technology of Silicon Bases for Obtaining Polycrystalline Silicon |
| Authors: | Реков, Ю.В. Червоный, И.Ф. Кисарин, О.А. Яркин, В.Н. Куцова, В.З. Егоров, С.Г. |
| Keywords: | поликристаллический кремний,технология выращивания,водородное восстановление, хлорсилан,температурный градиент,механическая прочность polycrystalline silicon,growth technology,hydrogen reducing,chlorsilan,thermal gradient,mechanical strength |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | Донецький національний технічний університет |
| Citation: | Наукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя: металургія. Випуск: 12(177) - Донецьк: ДонНТУ. - 2009 |
| Abstract: | Рассмотрены особенности выращивания кремниевых основ диаметром 6...10мм для последующего получения поликристаллического кремния методом водородного восстановления хлорсиланов. |
| Description: | The work has considered particulaties of silicon bases growth with diameter 6...10mm for future obtaining of polycrystalline silicon by hydrogen reducing method of chlorsilans. |
| URI: | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/9671 |
| Appears in Collections: | 2010_Випуск 12(177) |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| 242-250.pdf | 6,21 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.