Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/24997
Назва: Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерностных слоях монокристалического Ge.
Автори: Надточий, В. А.
Уколов, А. И.
Попов, О. К.
Перебайло, С. А.
Ключові слова: Полупроводник
semiconductor
эффективное время жизни
effective time of life
скорость поверхностной рекомбинации
speed of superficial recombination
Дата публікації: 2012
Видавництво: Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с. С 87 – 93.
Бібліографічний опис: Надточій В.О. Уколов О.І. Попов О.К. Перебайло С.А. Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерностных слоях монокристалического Ge // Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с
Короткий огляд (реферат): Рассмотрена конструкция устройства для определения времени жизни неравновесных но-сителей заряда в приповерхностном дефектном слое монокристаллического германия по результатам измерений зффективного времени жизни, времени жизни в обьеме и скорости поверхностной рекомбинации.
Опис: The construction of device for determination of time of life of non-equilibrium carriers of charge is considered in the приповерхностном imperfect layer of single-crystal germanium on results measuring of зффективного time of life, time of life in обьеме and speed of superficial recombination.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/24997
ISBN: 978-966-1554-82-4
Розташовується у зібраннях:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Изменение параметров рекомбинации неравновесных.pdf3,61 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.