Please use this identifier to cite or link to this item: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/24997
Title: Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерностных слоях монокристалического Ge.
Authors: Надточий, В. А.
Уколов, А. И.
Попов, О. К.
Перебайло, С. А.
Keywords: Полупроводник
semiconductor
эффективное время жизни
effective time of life
скорость поверхностной рекомбинации
speed of superficial recombination
Issue Date: 2012
Publisher: Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с. С 87 – 93.
Citation: Надточій В.О. Уколов О.І. Попов О.К. Перебайло С.А. Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерностных слоях монокристалического Ge // Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с
Abstract: Рассмотрена конструкция устройства для определения времени жизни неравновесных но-сителей заряда в приповерхностном дефектном слое монокристаллического германия по результатам измерений зффективного времени жизни, времени жизни в обьеме и скорости поверхностной рекомбинации.
Description: The construction of device for determination of time of life of non-equilibrium carriers of charge is considered in the приповерхностном imperfect layer of single-crystal germanium on results measuring of зффективного time of life, time of life in обьеме and speed of superficial recombination.
URI: http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/24997
ISBN: 978-966-1554-82-4
Appears in Collections:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.