1. Електронний архів ДонНТУ м.Покровськ
  2. Фонди реорганізованих підрозділів
  3. Автомобільно-дорожний інститут
  4. Факультет "Транспортні технології"
  5. Кафедра "Загальнонаукові дисципліни"
  6. Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/24997
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorНадточий, В. А.-
dc.contributor.authorУколов, А. И.-
dc.contributor.authorПопов, О. К.-
dc.contributor.authorПеребайло, С. А.-
dc.date.accessioned2014-03-07T08:32:21Z-
dc.date.available2014-03-07T08:32:21Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationНадточій В.О. Уколов О.І. Попов О.К. Перебайло С.А. Измерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерностных слоях монокристалического Ge // Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 сen_US
dc.identifier.isbn978-966-1554-82-4-
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/24997-
dc.descriptionThe construction of device for determination of time of life of non-equilibrium carriers of charge is considered in the приповерхностном imperfect layer of single-crystal germanium on results measuring of зффективного time of life, time of life in обьеме and speed of superficial recombination.en_US
dc.description.abstractРассмотрена конструкция устройства для определения времени жизни неравновесных но-сителей заряда в приповерхностном дефектном слое монокристаллического германия по результатам измерений зффективного времени жизни, времени жизни в обьеме и скорости поверхностной рекомбинации.en_US
dc.language.isootheren_US
dc.publisherЗбірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с. С 87 – 93.en_US
dc.subjectПолупроводникen_US
dc.subjectsemiconductoren_US
dc.subjectэффективное время жизниen_US
dc.subjecteffective time of lifeen_US
dc.subjectскорость поверхностной рекомбинацииen_US
dc.subjectspeed of superficial recombinationen_US
dc.titleИзмерение параметров рекомбинации неравновесных носителей заряда в приповерностных слоях монокристалического Ge.en_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Изменение параметров рекомбинации неравновесных.pdf3,61 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.