Donetsk National Technical University
Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/8852| Title: | Влияние технологических факторов на содержание атомов кислорода в монокристаллах кремния |
| Other Titles: | Influence of technological factors on the content of oxygen in silicon single crystals |
| Authors: | Швец, Е.Я. Головко, Ю.В. |
| Keywords: | кислород oxygen atom silicon monocrystall admixture атом кремний примесь раствор |
| Issue Date: | 2009 |
| Publisher: | Донецький національний технічний університет |
| Citation: | Наукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя: металургія. Випуск: 11(159) - Донецьк: ДонНТУ. - 2009 |
| Abstract: | Эксперементально исследовановлияние массы загрузки и конструктивных особенностей теплового узла,использованных при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского, на содержание примеси кислорода и кристаллов |
| Description: | Influence of weight of batch,diameter of a crucible and the desig features of thermal unit used at growth of silicon single crystals by Czochralski method on the contents of an oxygen impurity in crystals is experimentally investigated |
| URI: | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/8852 |
| Appears in Collections: | 2009_Випуск 11(159) |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.