Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://ea.donntu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/8852
Название: Влияние технологических факторов на содержание атомов кислорода в монокристаллах кремния
Другие названия: Influence of technological factors on the content of oxygen in silicon single crystals
Авторы: Швец, Е.Я.
Головко, Ю.В.
Ключевые слова: кислород
oxygen
atom
silicon
monocrystall
admixture
атом
кремний
примесь
раствор
Дата публикации: 2009
Издательство: Донецький національний технічний університет
Библиографическое описание: Наукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя: металургія. Випуск: 11(159) - Донецьк: ДонНТУ. - 2009
Краткий осмотр (реферат): Эксперементально исследовановлияние массы загрузки и конструктивных особенностей теплового узла,использованных при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского, на содержание примеси кислорода и кристаллов
Описание: Influence of weight of batch,diameter of a crucible and the desig features of thermal unit used at growth of silicon single crystals by Czochralski method on the contents of an oxygen impurity in crystals is experimentally investigated
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/8852
Располагается в коллекциях:2009_Випуск 11(159)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
shvec.pdf4,25 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.