1. Електронний архів ДонНТУ м.Покровськ
  2. Фонди реорганізованих підрозділів
  3. Автомобільно-дорожний інститут
  4. Факультет "Транспортні технології"
  5. Кафедра "Загальнонаукові дисципліни"
  6. Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/25088
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorНадточий, В.А.-
dc.contributor.authorУколов, А.И.-
dc.contributor.authorЩербина, И.Л.-
dc.contributor.authorИванов, Р.И.-
dc.date.accessioned2014-03-13T05:04:49Z-
dc.date.available2014-03-13T05:04:49Z-
dc.date.issued2013-
dc.identifier.citationНадточий В.А. Уколов А.И. Щербина И.Л. Иванов Р.И. Исследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах интегральных схем при воздействии механических напряжений.// Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2013 - № 23en_US
dc.identifier.isbn978-966-1554-82-4-
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/25088-
dc.descriptionDependences over of tensions are in-process brought in area of action of the concentrated force at the three-supporting bend of semiconductor lamina of Ge . At the chosen sizes and terms of deformation exceeding of tensions in a standard near-by a concentrator is substantial on a depth to 25мкм and from it along a surface in the distance < 1.2 мм. Got the method of structural analysis distribution of defects in a приповерхностном layer qualitatively comports with the results of the злектрических measuring of time of life of unbasic carriers of charge. The used probe method of measuring can be recommended for control the degree of imperfectness on the small fragments of the integrated circuits.en_US
dc.description.abstractВ работе приведены зависимости напряжений в области действия сосредоточенной силы при трехопорном изгибе тонкой полупроводниковой пластины Ge . При выбранных размерах и условиях деформирования превышение напряжений в образце вблизи концентратора существенно на глубине до 25мкм и от него вдоль поверхности на расстоянии < 1.2 мм. Полученное методом структурного анализа распределение дефектов в приповерхностном слое качественно согласуется с результатами злектрических измерений времени жизни неосновных носителей заряда. Использованный зондовый метод измерения может быть рекомендован для контроля степени дефектности на малых фрагментах интегральных схем.en_US
dc.language.isootheren_US
dc.publisherЗбірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2013 - № 23 – 255 с. С 77 – 85.en_US
dc.subjectнапряжениеen_US
dc.subjecttensionen_US
dc.subjectдефектыen_US
dc.subjectdefectsen_US
dc.subjectдислокацииen_US
dc.subjectdistributionsen_US
dc.subjectвремя жизниen_US
dc.subjecttime of lifeen_US
dc.titleИсследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах интегральных схем при воздействии механических напряжений.en_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Исследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах.pdf4,91 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.