Donetsk National Technical University
Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/25088| Title: | Исследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах интегральных схем при воздействии механических напряжений. |
| Authors: | Надточий, В.А. Уколов, А.И. Щербина, И.Л. Иванов, Р.И. |
| Keywords: | напряжение tension дефекты defects дислокации distributions время жизни time of life |
| Issue Date: | 2013 |
| Publisher: | Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2013 - № 23 – 255 с. С 77 – 85. |
| Citation: | Надточий В.А. Уколов А.И. Щербина И.Л. Иванов Р.И. Исследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах интегральных схем при воздействии механических напряжений.// Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2013 - № 23 |
| Abstract: | В работе приведены зависимости напряжений в области действия сосредоточенной силы при трехопорном изгибе тонкой полупроводниковой пластины Ge . При выбранных размерах и условиях деформирования превышение напряжений в образце вблизи концентратора существенно на глубине до 25мкм и от него вдоль поверхности на расстоянии < 1.2 мм. Полученное методом структурного анализа распределение дефектов в приповерхностном слое качественно согласуется с результатами злектрических измерений времени жизни неосновных носителей заряда. Использованный зондовый метод измерения может быть рекомендован для контроля степени дефектности на малых фрагментах интегральных схем. |
| Description: | Dependences over of tensions are in-process brought in area of action of the concentrated force at the three-supporting bend of semiconductor lamina of Ge . At the chosen sizes and terms of deformation exceeding of tensions in a standard near-by a concentrator is substantial on a depth to 25мкм and from it along a surface in the distance < 1.2 мм. Got the method of structural analysis distribution of defects in a приповерхностном layer qualitatively comports with the results of the злектрических measuring of time of life of unbasic carriers of charge. The used probe method of measuring can be recommended for control the degree of imperfectness on the small fragments of the integrated circuits. |
| URI: | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/25088 |
| ISBN: | 978-966-1554-82-4 |
| Appears in Collections: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Исследование распределения дефектов в полупроводниковых пластинах.pdf | 4,91 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.