Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/15497
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorАндрюхин, А.И.-
dc.contributor.authorAndruckin, A.I.-
dc.date.accessioned2012-10-16T07:58:17Z-
dc.date.available2012-10-16T07:58:17Z-
dc.date.issued2003-
dc.identifier.citationНаукові праці Донецького національного технічного університету, серія «Інформатика, кібернетика та обчислювальна техніка»,випуск 70, Донецк, ДонНТУ, 2003en_US
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/15497-
dc.description.abstractThe rewiew of the articles on modeling and testing of (he MOS-circuits is submitteden_US
dc.publisherДонНТУen_US
dc.subjectМОП-структураen_US
dc.subjectпереключательный уровеньen_US
dc.subjectMOS-circuitsen_US
dc.titleМОДЕЛИРОВАНИЕ И ТЕСТИРОВАНИЕ МОП-СТРУКТУР НА ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНОМ УРОВНЕ: ОСНОВНЫЕ НАПРАВЛЕНИЯ, МОДЕЛИ И ПРОБЛЕМЫen_US
dc.title.alternativeModeling and testing of MOS-structures at a switching level: the basic directions, model and problemen_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:Випуск 70

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
117-127.pdf7,06 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.