Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/29117
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorШамаев, В.В.-
dc.contributor.authorЖитлухина, Е.С.-
dc.date.accessioned2018-10-17T19:01:12Z-
dc.date.available2018-10-17T19:01:12Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/29117-
dc.description.abstractПредложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедренными в него примесными центрами. Развитая в работе теория основана на предположении о наличии в потенциальном барьере локализованных двухуровневых структур, которые определяют величину тока, протекающего через соответствующий транспортный канал. Проанализировано влияние параметров задачи на туннельный ток.uk_UK
dc.language.isoruuk_UK
dc.subjectотрицательное дифференциальное сопротивлениеuk_UK
dc.subjectнегатронuk_UK
dc.subjectдвухуровневые центрыuk_UK
dc.subjectтуннельный токuk_UK
dc.titleОтрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктурuk_UK
dc.typeArticleuk_UK
dcterms.bibliographicCitationШамаев, В.В. Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур / В.В. Шамаев, Е.С. Житлухина // Металлофизика и новейшие технологии: респ. межведом. науч. сб. – Киев, 2018. – Том 40. – Вып. 6. – С. 729-737. – Бібліогр..: 14 назв. – рос.-
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації кафедри комп'ютерної інженерії

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Шамаев В.В., Житлухина - 2018.pdf239,06 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.