Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/29117
Назва: | Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур |
Автори: | Шамаев, В.В. Житлухина, Е.С. |
Ключові слова: | отрицательное дифференциальное сопротивление негатрон двухуровневые центры туннельный ток |
Дата публікації: | 2018 |
Короткий огляд (реферат): | Предложен физический механизм, ответственный за возникновение участка отрицательного дифференциального сопротивления N-типа в вольт-амперных характеристиках металлических гетероструктур с туннельным барьером, образованным полупроводниковой прослойкой с внедренными в него примесными центрами. Развитая в работе теория основана на предположении о наличии в потенциальном барьере локализованных двухуровневых структур, которые определяют величину тока, протекающего через соответствующий транспортный канал. Проанализировано влияние параметров задачи на туннельный ток. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/29117 |
Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації кафедри комп'ютерної інженерії |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Шамаев В.В., Житлухина - 2018.pdf | 239,06 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.