1. Електронний архів ДонНТУ м.Покровськ
  2. Фонди реорганізованих підрозділів
  3. Автомобільно-дорожний інститут
  4. Факультет "Транспортні технології"
  5. Кафедра "Загальнонаукові дисципліни"
  6. Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/25028
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorУколов, А.И.-
dc.contributor.authorНадточий, В.А.-
dc.contributor.authorКалимбед, А.З.-
dc.contributor.authorМоскаль, Д.С.-
dc.date.accessioned2014-03-11T07:55:40Z-
dc.date.available2014-03-11T07:55:40Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationУколов А.И. Надточий В.А. Калимбед А.З. Москаль Д.С. О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника.// Пошуки і знахідки. СЕРІЯ: фіз. – мат. науки. Матеріали наукової конф.СДПУ – 2010, Слов’янськ, 2010en_US
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/25028-
dc.descriptionIn technologies of making of semiconductor devices used different methods of modification of приповерхностных layers of crystals, directionally changing their physical properties: alloying by admixtures, irradiation, polishing and mechanical, the particles of high energies polishingen_US
dc.description.abstractВ технологиях изготовления полупроводниковых приборов используются разные методы модификации приповерхностных слоев кристаллов, направленно изменяющих их физические свойства: легирование примесями, облучение частицами высоких энергий, шлифование и механическое полированиеen_US
dc.language.isootheren_US
dc.publisherПошуки і знахідки. СЕРІЯ: фіз. – мат. науки. Матеріали наукової конф.СДПУ – 2010, Слов’янськ, 2010. 88 – 94с.en_US
dc.subjectМетодикаen_US
dc.subjectMethodologyen_US
dc.subjectрекомбинацияen_US
dc.subjectrecombinationen_US
dc.subjectприповерхностный слойen_US
dc.subjectsurface layeren_US
dc.subjectполупроводникen_US
dc.subjectsemiconductoren_US
dc.titleО применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника.en_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
О применимости методик определения параметров.pdf430,99 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.