Donetsk National Technical University
Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/25028| Title: | О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника. |
| Authors: | Уколов, А.И. Надточий, В.А. Калимбед, А.З. Москаль, Д.С. |
| Keywords: | Методика Methodology рекомбинация recombination приповерхностный слой surface layer полупроводник semiconductor |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | Пошуки і знахідки. СЕРІЯ: фіз. – мат. науки. Матеріали наукової конф.СДПУ – 2010, Слов’янськ, 2010. 88 – 94с. |
| Citation: | Уколов А.И. Надточий В.А. Калимбед А.З. Москаль Д.С. О применимости методик определения параметров рекомбинации носителей заряда к приповерхностным слоям полупроводника.// Пошуки і знахідки. СЕРІЯ: фіз. – мат. науки. Матеріали наукової конф.СДПУ – 2010, Слов’янськ, 2010 |
| Abstract: | В технологиях изготовления полупроводниковых приборов используются разные методы модификации приповерхностных слоев кристаллов, направленно изменяющих их физические свойства: легирование примесями, облучение частицами высоких энергий, шлифование и механическое полирование |
| Description: | In technologies of making of semiconductor devices used different methods of modification of приповерхностных layers of crystals, directionally changing their physical properties: alloying by admixtures, irradiation, polishing and mechanical, the particles of high energies polishing |
| URI: | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/25028 |
| Appears in Collections: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| О применимости методик определения параметров.pdf | 430,99 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.