Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/10788
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorУколов, О.І.-
dc.contributor.authorЛюбченко, І.В-
dc.contributor.authorУколова, Ю.В.-
dc.date.accessioned2012-04-06T07:29:02Z-
dc.date.available2012-04-06T07:29:02Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationУколов О.І., Любченко І.В, Уколова Ю.В. Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках//Материалы за 6 – а международна научна практична конференция, «Новини на научния про-грес», - 2010. Том 6. Технологии. Математика. Съвременни тено-логии на информации. Физика. Физическа култура и спорт. с. 69 - 71en_US
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/10788-
dc.descriptionThis work made a theoretical assessment of energy migration of vacancies in the сrystal semiconductor surface layers with the presence of mechanical stress and ultrasonic irradiation.en_US
dc.description.abstractВ даній роботі зроблена теоретична оцінка енергії міграції вакансій у приповерхневих шарах кристала напівпровідника з урахуванням наявності механічних напружень та ультразвукового опромінення.en_US
dc.publisherСофия. «Бял ГРАД БГ» ООД.en_US
dc.subjectДифузіяen_US
dc.subjectDiffusionen_US
dc.subjectнапівпровідникen_US
dc.subjectsemiconductoren_US
dc.subjectповерхняen_US
dc.subjectsurfaceen_US
dc.titleОсобливості поверхневої дифузії у напівпровідникахen_US
dc.title.alternativeFeatures of surface diffusion in semiconductorsen_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"



Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.