Donetsk National Technical University
Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/10788| Title: | Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках |
| Other Titles: | Features of surface diffusion in semiconductors |
| Authors: | Уколов, О.І. Любченко, І.В Уколова, Ю.В. |
| Keywords: | Дифузія Diffusion напівпровідник semiconductor поверхня surface |
| Issue Date: | 2010 |
| Publisher: | София. «Бял ГРАД БГ» ООД. |
| Citation: | Уколов О.І., Любченко І.В, Уколова Ю.В. Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках//Материалы за 6 – а международна научна практична конференция, «Новини на научния про-грес», - 2010. Том 6. Технологии. Математика. Съвременни тено-логии на информации. Физика. Физическа култура и спорт. с. 69 - 71 |
| Abstract: | В даній роботі зроблена теоретична оцінка енергії міграції вакансій у приповерхневих шарах кристала напівпровідника з урахуванням наявності механічних напружень та ультразвукового опромінення. |
| Description: | This work made a theoretical assessment of energy migration of vacancies in the сrystal semiconductor surface layers with the presence of mechanical stress and ultrasonic irradiation. |
| URI: | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/10788 |
| Appears in Collections: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Особливості поверхневої дифузії, її експериментальні дослідження.pdf | 166,08 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.