Donetsk National Technical University
Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/25018| Title: | Визначення швидкості поверхневої рекомбінації і її впливу на час життя нерівноважних носіїв заряду |
| Authors: | Уколов, О.І. Надточій, В.О Калимбет, А.З. |
| Keywords: | монокристал single-crystal швидкість поверхневої рекомбінації speed of superficial recombination час життя time of life |
| Issue Date: | 2011 |
| Publisher: | Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2011 - № 1 – 212 с. С 83 – 87. |
| Citation: | Уколов О.І. Надточій В.О. Калимбет А.З. Визначення швидкості поверхневої рекомбінації і її впливу на час життя нерівноважних носіїв заряду // Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2011 - № 1 – 212 с. |
| Series/Report no.: | УДК;539.4 |
| Abstract: | Вимірювання структурно чутливих електрофізичних параметрів дозволяє визначити якість матеріалів для створення напівпровідникових пристроїв. У даній роботі розглянута теорія впливу швидкості поверхневої рекомбінації на час життя і довжину дифузії нерівноважних носіїв заряду в приповерхневих шарах напівпровідникового зразка. Отримані нові експериментальні результати параметрів рекомбінації нерівноважних носіїв заряду на розробленому вимірювальному пристрої з урахуванням впливу поверхні напівпровідника. |
| Description: | Measuring structurally of sensible electrophysics parameters allows to define quality of materials for creation of semiconductor devices. In this work the considered theory of influence of speed of superficial recombination is in a time of life and length of diffusion of non-equilibrium transmitters of charge in the приповерхневих layers of semiconductor standard. The new experimental results of parameters of recombination of non-equilibrium transmitters of charge are got on the worked out measuring device taking into account influence of surface of semiconductor. |
| URI: | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/25018 |
| Appears in Collections: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Визначення швидкості поверхневої рекомбінації.pdf | 1,97 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.