Донецький національний технічний університет
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/25017| Назва: | Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно-силовой микроскопии. |
| Автори: | Надточий, В. А. Уколов, А. И Костенко, С. А. Редникин, Д. Ю |
| Ключові слова: | Полупроводник semiconductor наноструктура nanostructure диффузия diffusion градиент напряжения gradient of tension дислокация distribution |
| Дата публікації: | 2012 |
| Видавництво: | Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с. С 94 – 99. |
| Бібліографічний опис: | Надточий В.А. Уколов А.И. Костенко С. А. Редникин Д. Ю Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно-силовой микроскопии // Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с. |
| Короткий огляд (реферат): | В данной работе методом атомно-силовой микроскопии выполнены исследования поверхности образцов монокристаллического Ge, циклически деформированных одноосным сжатием с одновременным ультразвуковым облучением при температуре 310К. Деформирование кристаллов порождает на поверхности периодические дефектные структуры, обусловленные массопереносом при наличии градиента напряжений и возникновении направленных диффузионных потоков. Дислокационные петли в приповерхностном слое являются источниками зарождения наноструктур типа ямка-островок. При объединении островков на стадии созревания образуются гребни нанометровой высоты, источниками которых являются дислокационные петли, линейно ориентированные полями точечных дефектов. |
| Опис: | In hired the method of atomic-power microscopy is execute researches of surface of standards of single-crystal Ge, cyclic deformed by a monaxonic compression with a simultaneous ultrasonic irradiation at the temperature of 310К. Deformation of crystals generates on a surface the periodic imperfect structures conditioned by массопереносом at presence of gradient of tensions and origin of the directed diffusive streams. Dislocation loops in a surface layer are the sources of origin of nanostructures of type small fossula-island. At the association of small islands the combs of nanometer height, the sources of that are the dislocation loops arcwise oriented by the fields of point defects, appear on the stage of ripening. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/25017 |
| ISBN: | 978-966-1554-82-4 |
| Розташовується у зібраннях: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического.pdf | 3,16 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.