Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/10827
Назва: | Дифузійно-дислокаційна мікропластичність монокристалів Ge |
Інші назви: | Diffusion-DislocationMicroplastic Ge Single Crystal Below Temperature |
Автори: | Уколов, О.І. Надточій, В.О. Нечволод, М.К. |
Ключові слова: | мікропластичність microplasticity дислокація dislocation дифузія diffusion ультразвук ultrasonic |
Дата публікації: | 2010 |
Видавництво: | Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника |
Бібліографічний опис: | О.І. Уколов,В.О. Надточій,М.К. Нечволод.Дифузійно-дислокаційна мікропластичність монокристалів Ge//Фізика і хімія твердого тіла. – 2010.- т.11, №3.- с.575-579 |
Короткий огляд (реферат): | В роботі на основі структурних досліджень і теоретичних розрахунків показано, що при низькотемпературному деформуванні монокристалічного Ge з одночасним УЗ опроміненням можна створювати дефектні смуги, у яких генеруються вакансійні кластери або міжвузловинні дислокаційні петлі. Зроблена теоретична оцінка енергії міграції вакансій у приповерхневих шарах з урахуванням наявності поверхні, механічних напружень та УЗ опромінення. |
Опис: | The structural investigations of deformed at low temperatures monocrystalline Ge with simultaneous ultrasonic treatment are made. It is shown that the defective bands are created near a surface as a result of repeated loading of a crystal. The vacancy clusters and dislocation loops are generated in these bands. The calculations of the vacancy migration energy allowing for a surface, mechanical stress and ultrasonic treatment are made. The heterogeneous formation of dislocation is grounded. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/10827 |
ISSN: | 1729-4428 |
Розташовується у зібраннях: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
1103-05.pdf | 281,06 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.