Donetsk National Technical University
Please use this identifier to cite or link to this item:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/24996| Title: | Формирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| Authors: | Надточий, В. А. Уколов, А. И. Нечволод, Н. К. |
| Keywords: | Диффузия diffusion дислокация distribution поверхность surface наноструктура nanostructure |
| Issue Date: | 2012 |
| Publisher: | Физика и техника высоких давлений, 2012. - том 22, № 3. С. 54 – 62. |
| Citation: | Формирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии // Физика и техника высоких давлений, 2012. - том 22, № 3. С. 54 – 62. |
| Abstract: | Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомних структур,свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света. |
| Description: | The phenomenon of low temperature diffusion is investigational in Ge along outcropping dislocation semiloops at creation of gradients of tension under the action of deformation of bend or compression. Possibility of creation is shown on the surface of низкоразмерных атомних structures properties of that are studied by the methods of atomic-power microscopy and romane spectroscopy of combination dispersion of light. |
| URI: | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/24996 |
| Appears in Collections: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Формирование наноструктур в Ge при условии.pdf | 1,75 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.