1. Електронний архів ДонНТУ м.Покровськ
  2. Фонди реорганізованих підрозділів
  3. Автомобільно-дорожний інститут
  4. Факультет "Транспортні технології"
  5. Кафедра "Загальнонаукові дисципліни"
  6. Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/24996
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorНадточий, В. А.-
dc.contributor.authorУколов, А. И.-
dc.contributor.authorНечволод, Н. К.-
dc.date.accessioned2014-03-07T08:30:23Z-
dc.date.available2014-03-07T08:30:23Z-
dc.date.issued2012-
dc.identifier.citationФормирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии // Физика и техника высоких давлений, 2012. - том 22, № 3. С. 54 – 62.en_US
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/24996-
dc.descriptionThe phenomenon of low temperature diffusion is investigational in Ge along outcropping dislocation semiloops at creation of gradients of tension under the action of deformation of bend or compression. Possibility of creation is shown on the surface of низкоразмерных атомних structures properties of that are studied by the methods of atomic-power microscopy and romane spectroscopy of combination dispersion of light.en_US
dc.description.abstractИсследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомних структур,свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света.en_US
dc.language.isootheren_US
dc.publisherФизика и техника высоких давлений, 2012. - том 22, № 3. С. 54 – 62.en_US
dc.subjectДиффузияen_US
dc.subjectdiffusionen_US
dc.subjectдислокацияen_US
dc.subjectdistributionen_US
dc.subjectповерхностьen_US
dc.subjectsurfaceen_US
dc.subjectнаноструктураen_US
dc.subjectnanostructureen_US
dc.titleФормирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузииen_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Формирование наноструктур в Ge при условии.pdf1,75 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.