Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/8852
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Швец, Е.Я. | - |
dc.contributor.author | Головко, Ю.В. | - |
dc.date.accessioned | 2012-03-15T12:04:12Z | - |
dc.date.available | 2012-03-15T12:04:12Z | - |
dc.date.issued | 2009 | - |
dc.date.submitted | 2009 | - |
dc.identifier.citation | Наукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя: металургія. Випуск: 11(159) - Донецьк: ДонНТУ. - 2009 | en_US |
dc.identifier.other | УДК 546.28-121 | - |
dc.identifier.uri | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/8852 | - |
dc.description | Influence of weight of batch,diameter of a crucible and the desig features of thermal unit used at growth of silicon single crystals by Czochralski method on the contents of an oxygen impurity in crystals is experimentally investigated | en_US |
dc.description.abstract | Эксперементально исследовановлияние массы загрузки и конструктивных особенностей теплового узла,использованных при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского, на содержание примеси кислорода и кристаллов | en_US |
dc.publisher | Донецький національний технічний університет | en_US |
dc.subject | кислород | en_US |
dc.subject | oxygen | en_US |
dc.subject | atom | - |
dc.subject | silicon | - |
dc.subject | monocrystall | - |
dc.subject | admixture | - |
dc.subject | атом | - |
dc.subject | кремний | - |
dc.subject | примесь | - |
dc.subject | раствор | - |
dc.subject.other | монокристал | - |
dc.title | Влияние технологических факторов на содержание атомов кислорода в монокристаллах кремния | en_US |
dc.title.alternative | Influence of technological factors on the content of oxygen in silicon single crystals | en_US |
dc.type | Article | en_US |
Розташовується у зібраннях: | 2009_Випуск 11(159) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
shvec.pdf | 4,25 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.