Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/8852
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorШвец, Е.Я.-
dc.contributor.authorГоловко, Ю.В.-
dc.date.accessioned2012-03-15T12:04:12Z-
dc.date.available2012-03-15T12:04:12Z-
dc.date.issued2009-
dc.date.submitted2009-
dc.identifier.citationНаукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя: металургія. Випуск: 11(159) - Донецьк: ДонНТУ. - 2009en_US
dc.identifier.otherУДК 546.28-121-
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/8852-
dc.descriptionInfluence of weight of batch,diameter of a crucible and the desig features of thermal unit used at growth of silicon single crystals by Czochralski method on the contents of an oxygen impurity in crystals is experimentally investigateden_US
dc.description.abstractЭксперементально исследовановлияние массы загрузки и конструктивных особенностей теплового узла,использованных при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского, на содержание примеси кислорода и кристалловen_US
dc.publisherДонецький національний технічний університетen_US
dc.subjectкислородen_US
dc.subjectoxygenen_US
dc.subjectatom-
dc.subjectsilicon-
dc.subjectmonocrystall-
dc.subjectadmixture-
dc.subjectатом-
dc.subjectкремний-
dc.subjectпримесь-
dc.subjectраствор-
dc.subject.otherмонокристал-
dc.titleВлияние технологических факторов на содержание атомов кислорода в монокристаллах кремнияen_US
dc.title.alternativeInfluence of technological factors on the content of oxygen in silicon single crystalsen_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:2009_Випуск 11(159)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
shvec.pdf4,25 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.