1. Електронний архів ДонНТУ м.Покровськ
  2. Фонди реорганізованих підрозділів
  3. Автомобільно-дорожний інститут
  4. Факультет "Транспортні технології"
  5. Кафедра "Загальнонаукові дисципліни"
  6. Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/6903
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorУколов, А.И.-
dc.contributor.authorUkolov, A.I.-
dc.contributor.authorУколов, О.І.-
dc.date.accessioned2012-03-04T11:03:35Z-
dc.date.available2012-03-04T11:03:35Z-
dc.date.issued2011-06-
dc.identifier.citationУколов А.И., Надточий В.А., Голоденко Н.Н. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в приповерхностном слое монокристаллического Ge зондовым методом// Вісник ХНУ, № 962, серія «Фізика». Випуск 15. – Харьков –2011. с. 63- 66.en_US
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/6903-
dc.descriptionInfluence of structure defects created in the subsurface layer of germanium single-crystal by cutting and uniaxial pressing deformation with simultaneous ultrasonic irradiation at the temperature 310 K on the life time τ of minority charge carriers is investigated. Measurements are executed by the pulse method of modulation of conductivity in a point contact with the surface of Ge specimens and by the method of a movable light probe. It is proved that at the small delays of measuring pulse relatively of injecting one the fi rst method allows to determine life time in the subsurface defective layer. Comparison with the method of a movable light probe has shown divergence of results no more than 12 %.en_US
dc.description.abstractИсследовано влияние дефектов структуры, созданных в приповерхностном слое монокристаллического германия резанием и деформированием одноосным сжатием с одновременным ультразвуковым облучением при температуре 310 К, на время жизни неосновных носителей заряда τ. Измерения выполнены импульсным методом модуляции проводимости в точечном контакте с поверхностью образцов Ge и методом подвижного светового зонда. Показано, что при малых задержках измерительного импульса относительно инжектирующего в первом методе можно определять время жизни в приповерхностном дефектном слое. Сопоставление с методом подвижного светового зонда показало расхождение результатов не более 12%.en_US
dc.language.isootheren_US
dc.publisherХарьковский национальный университет им. В.Н. Каразинаen_US
dc.subjectгерманийen_US
dc.subjectgermaniumen_US
dc.subjectвремя жизниen_US
dc.subjectlife timeen_US
dc.subjectдефекты структурыen_US
dc.subjectdefects structureen_US
dc.subjectприповерхностный слойen_US
dc.subjectsubsurface layeren_US
dc.titleИзмерение времени жизни неосновных носителей заряда в приповерхностном слое монокристаллического Ge зондовым методомen_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
63-67.pdf266,1 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.