Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/4218
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorАндрюхин, А.И.-
dc.contributor.authorТерещук, Д.С.-
dc.date.accessioned2012-01-22T12:34:25Z-
dc.date.available2012-01-22T12:34:25Z-
dc.date.issued2001-
dc.identifier.citationНаукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя «Проблеми моделювання та автоматизації проектування» (МАП-2001). Випуск: 29 - Донецьк: ДонНТУ. - 2001. – 370 с.en_US
dc.identifier.issn2074-7888-
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/4218-
dc.description.abstractThe type, function and geometry ofMOS transistor is to influence on values andfronts of signals considered. Logic model based on the modified iterative X^i=M0FQi^ method is to suggested to be usedfor switch-level simulation of MOS structures taking into account the delays oftransistors.en_US
dc.language.isootheren_US
dc.publisherДонецький національний технічний університетen_US
dc.relation.ispartofseriesПроблеми моделювання та автоматизації проектування;-
dc.titleЛОГИЧЕСКИЙ УЧЕТ ДИНАМИКИ B МОП-СТРУКТУРАХen_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:Випуск 29
Статті співробітників кафедри ПМІ

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
27.pdf5,72 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.