1. Електронний архів ДонНТУ м.Покровськ
  2. Фонди реорганізованих підрозділів
  3. Автомобільно-дорожний інститут
  4. Факультет "Транспортні технології"
  5. Кафедра "Загальнонаукові дисципліни"
  6. Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/25018
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorУколов, О.І.-
dc.contributor.authorНадточій, В.О-
dc.contributor.authorКалимбет, А.З.-
dc.date.accessioned2014-03-11T06:31:22Z-
dc.date.available2014-03-11T06:31:22Z-
dc.date.issued2011-
dc.identifier.citationУколов О.І. Надточій В.О. Калимбет А.З. Визначення швидкості поверхневої рекомбінації і її впливу на час життя нерівноважних носіїв заряду // Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2011 - № 1 – 212 с.en_US
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/25018-
dc.descriptionMeasuring structurally of sensible electrophysics parameters allows to define quality of materials for creation of semiconductor devices. In this work the considered theory of influence of speed of superficial recombination is in a time of life and length of diffusion of non-equilibrium transmitters of charge in the приповерхневих layers of semiconductor standard. The new experimental results of parameters of recombination of non-equilibrium transmitters of charge are got on the worked out measuring device taking into account influence of surface of semiconductor.en_US
dc.description.abstractВимірювання структурно чутливих електрофізичних параметрів дозволяє визначити якість матеріалів для створення напівпровідникових пристроїв. У даній роботі розглянута теорія впливу швидкості поверхневої рекомбінації на час життя і довжину дифузії нерівноважних носіїв заряду в приповерхневих шарах напівпровідникового зразка. Отримані нові експериментальні результати параметрів рекомбінації нерівноважних носіїв заряду на розробленому вимірювальному пристрої з урахуванням впливу поверхні напівпровідника.en_US
dc.language.isootheren_US
dc.publisherЗбірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2011 - № 1 – 212 с. С 83 – 87.en_US
dc.relation.ispartofseriesУДК;539.4-
dc.subjectмонокристалen_US
dc.subjectsingle-crystalen_US
dc.subjectшвидкість поверхневої рекомбінаціїen_US
dc.subjectspeed of superficial recombinationen_US
dc.subjectчас життяen_US
dc.subjecttime of lifeen_US
dc.titleВизначення швидкості поверхневої рекомбінації і її впливу на час життя нерівноважних носіїв зарядуen_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Визначення швидкості поверхневої рекомбінації.pdf1,97 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.