Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно-силовой микроскопии.

Надточий, В. А.; Уколов, А. И; Костенко, С. А.; Редникин, Д. Ю

Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/25017

Повний запис метаданих

Поле DC	Значення	Мова
dc.contributor.author	Надточий, В. А.	-
dc.contributor.author	Уколов, А. И	-
dc.contributor.author	Костенко, С. А.	-
dc.contributor.author	Редникин, Д. Ю	-
dc.date.accessioned	2014-03-11T06:30:34Z	-
dc.date.available	2014-03-11T06:30:34Z	-
dc.date.issued	2012	-
dc.identifier.citation	Надточий В.А. Уколов А.И. Костенко С. А. Редникин Д. Ю Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно-силовой микроскопии // Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с.	en_US
dc.identifier.isbn	978-966-1554-82-4	-
dc.identifier.uri	http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/25017	-
dc.description	In hired the method of atomic-power microscopy is execute researches of surface of standards of single-crystal Ge, cyclic deformed by a monaxonic compression with a simultaneous ultrasonic irradiation at the temperature of 310К. Deformation of crystals generates on a surface the periodic imperfect structures conditioned by массопереносом at presence of gradient of tensions and origin of the directed diffusive streams. Dislocation loops in a surface layer are the sources of origin of nanostructures of type small fossula-island. At the association of small islands the combs of nanometer height, the sources of that are the dislocation loops arcwise oriented by the fields of point defects, appear on the stage of ripening.	en_US
dc.description.abstract	В данной работе методом атомно-силовой микроскопии выполнены исследования поверхности образцов монокристаллического Ge, циклически деформированных одноосным сжатием с одновременным ультразвуковым облучением при температуре 310К. Деформирование кристаллов порождает на поверхности периодические дефектные структуры, обусловленные массопереносом при наличии градиента напряжений и возникновении направленных диффузионных потоков. Дислокационные петли в приповерхностном слое являются источниками зарождения наноструктур типа ямка-островок. При объединении островков на стадии созревания образуются гребни нанометровой высоты, источниками которых являются дислокационные петли, линейно ориентированные полями точечных дефектов.	en_US
dc.language.iso	other	en_US
dc.publisher	Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2012 - № 2 – 219 с. С 94 – 99.	en_US
dc.subject	Полупроводник	en_US
dc.subject	semiconductor	en_US
dc.subject	наноструктура	en_US
dc.subject	nanostructure	en_US
dc.subject	диффузия	en_US
dc.subject	diffusion	en_US
dc.subject	градиент напряжения	en_US
dc.subject	gradient of tension	en_US
dc.subject	дислокация	en_US
dc.subject	distribution	en_US
dc.title	Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического Ge методом атомно-силовой микроскопии.	en_US
dc.type	Article	en_US
Розташовується у зібраннях:	Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Файли цього матеріалу:

Файл	Опис	Розмір	Формат
Исследование наноструктур на поверхности монокристаллического.pdf		3,16 MB	Adobe PDF	Переглянути/Відкрити

Показати базовий опис матеріалу Перегляд статистики

Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.

Донецький національний технічний університет