Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/14590
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorЩербак, Я.Я.-
dc.date.accessioned2012-08-07T10:48:27Z-
dc.date.available2012-08-07T10:48:27Z-
dc.date.issued2007-
dc.identifier.citationНаукові праці Донецького національного технічного університету. Серія: Гірничо-геологічна. Випуск 6(125) - Донецьк, ДонНТУ, 2007en_US
dc.identifier.otherУДК 539.2-
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/14590-
dc.descriptionIn work it is shown that the degeneracy of the valence band at K=0, which occurs in valency of solid solutions of semiconductors, will lead to the appearance of singularities in the nature of the low-temperature conductivity of such systems, which need to be taken into account in the development of devices on the basis of such materials.-
dc.description.abstractВ работе показано, что снятие вырождения валентной зоны при K=0 ("расщепление" зоны, здесь K -волновой вектор), которое происходит в изовалентных твердых растворах полупроводников, приведет к появлению особенностей в характере низкотемпературной проводимости таких систем, что необходимо учитывать при разработке приборов на основе таких материалов.en_US
dc.publisherДонецький національний технічний університетen_US
dc.subjectвалентная зонаen_US
dc.subjectволновой векторen_US
dc.subjectполупроводникen_US
dc.subjectизовалентный растворen_US
dc.subjectsemiconductoren_US
dc.subjectvalency zoneen_US
dc.subjectwavevectoren_US
dc.subjectvalency solutionen_US
dc.titleОсобенности проводимости изовалентных твердых растворов полупроводниковen_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:Випуск 6(125)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
142-145.pdf2,63 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
sp_lit 142-145.pdf55,23 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.