Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/10827
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorУколов, О.І.-
dc.contributor.authorНадточій, В.О.-
dc.contributor.authorНечволод, М.К.-
dc.date.accessioned2012-04-06T09:49:22Z-
dc.date.available2012-04-06T09:49:22Z-
dc.date.issued2010-
dc.identifier.citationО.І. Уколов,В.О. Надточій,М.К. Нечволод.Дифузійно-дислокаційна мікропластичність монокристалів Ge//Фізика і хімія твердого тіла. – 2010.- т.11, №3.- с.575-579en_US
dc.identifier.issn1729-4428-
dc.identifier.urihttp://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/10827-
dc.descriptionThe structural investigations of deformed at low temperatures monocrystalline Ge with simultaneous ultrasonic treatment are made. It is shown that the defective bands are created near a surface as a result of repeated loading of a crystal. The vacancy clusters and dislocation loops are generated in these bands. The calculations of the vacancy migration energy allowing for a surface, mechanical stress and ultrasonic treatment are made. The heterogeneous formation of dislocation is grounded.en_US
dc.description.abstractВ роботі на основі структурних досліджень і теоретичних розрахунків показано, що при низькотемпературному деформуванні монокристалічного Ge з одночасним УЗ опроміненням можна створювати дефектні смуги, у яких генеруються вакансійні кластери або міжвузловинні дислокаційні петлі. Зроблена теоретична оцінка енергії міграції вакансій у приповерхневих шарах з урахуванням наявності поверхні, механічних напружень та УЗ опромінення.en_US
dc.language.isootheren_US
dc.publisherПрикарпатський національний університет імені Василя Стефаникаen_US
dc.subjectмікропластичністьen_US
dc.subjectmicroplasticityen_US
dc.subjectдислокаціяen_US
dc.subjectdislocationen_US
dc.subjectдифузіяen_US
dc.subjectdiffusionen_US
dc.subjectультразвукen_US
dc.subjectultrasonicen_US
dc.titleДифузійно-дислокаційна мікропластичність монокристалів Geen_US
dc.title.alternativeDiffusion-DislocationMicroplastic Ge Single Crystal Below Temperatureen_US
dc.typeArticleen_US
Розташовується у зібраннях:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
1103-05.pdf281,06 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.