Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://ea.donntu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/9671
Название: Особенности технологий кремниевых основ для получения поликристаллического кремния
Другие названия: The Features of Technology of Silicon Bases for Obtaining Polycrystalline Silicon
Авторы: Реков, Ю.В.
Червоный, И.Ф.
Кисарин, О.А.
Яркин, В.Н.
Куцова, В.З.
Егоров, С.Г.
Ключевые слова: поликристаллический кремний,технология выращивания,водородное восстановление, хлорсилан,температурный градиент,механическая прочность
polycrystalline silicon,growth technology,hydrogen reducing,chlorsilan,thermal gradient,mechanical strength
Дата публикации: 2010
Издательство: Донецький національний технічний університет
Библиографическое описание: Наукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя: металургія. Випуск: 12(177) - Донецьк: ДонНТУ. - 2009
Краткий осмотр (реферат): Рассмотрены особенности выращивания кремниевых основ диаметром 6...10мм для последующего получения поликристаллического кремния методом водородного восстановления хлорсиланов.
Описание: The work has considered particulaties of silicon bases growth with diameter 6...10mm for future obtaining of polycrystalline silicon by hydrogen reducing method of chlorsilans.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/9671
Располагается в коллекциях:2010_Випуск 12(177)

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
242-250.pdf6,21 MBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.