Донецький національний технічний університет
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/9671| Назва: | Особенности технологий кремниевых основ для получения поликристаллического кремния |
| Інші назви: | The Features of Technology of Silicon Bases for Obtaining Polycrystalline Silicon |
| Автори: | Реков, Ю.В. Червоный, И.Ф. Кисарин, О.А. Яркин, В.Н. Куцова, В.З. Егоров, С.Г. |
| Ключові слова: | поликристаллический кремний,технология выращивания,водородное восстановление, хлорсилан,температурный градиент,механическая прочность polycrystalline silicon,growth technology,hydrogen reducing,chlorsilan,thermal gradient,mechanical strength |
| Дата публікації: | 2010 |
| Видавництво: | Донецький національний технічний університет |
| Бібліографічний опис: | Наукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя: металургія. Випуск: 12(177) - Донецьк: ДонНТУ. - 2009 |
| Короткий огляд (реферат): | Рассмотрены особенности выращивания кремниевых основ диаметром 6...10мм для последующего получения поликристаллического кремния методом водородного восстановления хлорсиланов. |
| Опис: | The work has considered particulaties of silicon bases growth with diameter 6...10mm for future obtaining of polycrystalline silicon by hydrogen reducing method of chlorsilans. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/9671 |
| Розташовується у зібраннях: | 2010_Випуск 12(177) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 242-250.pdf | 6,21 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.