Донецький національний технічний університет
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/8852| Назва: | Влияние технологических факторов на содержание атомов кислорода в монокристаллах кремния |
| Інші назви: | Influence of technological factors on the content of oxygen in silicon single crystals |
| Автори: | Швец, Е.Я. Головко, Ю.В. |
| Ключові слова: | кислород oxygen atom silicon monocrystall admixture атом кремний примесь раствор |
| Дата публікації: | 2009 |
| Видавництво: | Донецький національний технічний університет |
| Бібліографічний опис: | Наукові праці Донецького національного технічного університету. Серiя: металургія. Випуск: 11(159) - Донецьк: ДонНТУ. - 2009 |
| Короткий огляд (реферат): | Эксперементально исследовановлияние массы загрузки и конструктивных особенностей теплового узла,использованных при выращивании монокристаллов кремния по методу Чохральского, на содержание примеси кислорода и кристаллов |
| Опис: | Influence of weight of batch,diameter of a crucible and the desig features of thermal unit used at growth of silicon single crystals by Czochralski method on the contents of an oxygen impurity in crystals is experimentally investigated |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/8852 |
| Розташовується у зібраннях: | 2009_Випуск 11(159) |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| shvec.pdf | 4,25 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.