Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://ea.donntu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/6903
Назва: Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в приповерхностном слое монокристаллического Ge зондовым методом
Автори: Уколов, А.И.
Ukolov, A.I.
Уколов, О.І.
Ключові слова: германий
germanium
время жизни
life time
дефекты структуры
defects structure
приповерхностный слой
subsurface layer
Дата публікації: чер-2011
Видавництво: Харьковский национальный университет им. В.Н. Каразина
Бібліографічний опис: Уколов А.И., Надточий В.А., Голоденко Н.Н. Измерение времени жизни неосновных носителей заряда в приповерхностном слое монокристаллического Ge зондовым методом// Вісник ХНУ, № 962, серія «Фізика». Випуск 15. – Харьков –2011. с. 63- 66.
Короткий огляд (реферат): Исследовано влияние дефектов структуры, созданных в приповерхностном слое монокристаллического германия резанием и деформированием одноосным сжатием с одновременным ультразвуковым облучением при температуре 310 К, на время жизни неосновных носителей заряда τ. Измерения выполнены импульсным методом модуляции проводимости в точечном контакте с поверхностью образцов Ge и методом подвижного светового зонда. Показано, что при малых задержках измерительного импульса относительно инжектирующего в первом методе можно определять время жизни в приповерхностном дефектном слое. Сопоставление с методом подвижного светового зонда показало расхождение результатов не более 12%.
Опис: Influence of structure defects created in the subsurface layer of germanium single-crystal by cutting and uniaxial pressing deformation with simultaneous ultrasonic irradiation at the temperature 310 K on the life time τ of minority charge carriers is investigated. Measurements are executed by the pulse method of modulation of conductivity in a point contact with the surface of Ge specimens and by the method of a movable light probe. It is proved that at the small delays of measuring pulse relatively of injecting one the fi rst method allows to determine life time in the subsurface defective layer. Comparison with the method of a movable light probe has shown divergence of results no more than 12 %.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/6903
Розташовується у зібраннях:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
63-67.pdf266,1 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.