Частотные характеристики мемристорных структур на основе сложных оксидов переходных металлов

Abstract

Проанализирована частотная зависимость двузначных вольт-амперных характеристик мемристорных структур, образованных металлическим инжектором и плёнкой сложного оксида переходных металлов. Предложенная теоретическая модель основана на предположении о диффузии кислородных вакансий, локальная концентрация которых полностью определяет электрические характеристики металлооксидного соединения. Показано, что с увеличением частоты переменного тока, пропускаемого через данный контакт, отношение его максимального сопротивления к минимальному падает, в то время как влияние процесса релаксации вакансионной подсистемы к исходному состоянию не является существенным в случае, когда характерное время релаксации заметно превос ходит период переменного тока.