Донецький національний технічний університет
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/25018| Назва: | Визначення швидкості поверхневої рекомбінації і її впливу на час життя нерівноважних носіїв заряду |
| Автори: | Уколов, О.І. Надточій, В.О Калимбет, А.З. |
| Ключові слова: | монокристал single-crystal швидкість поверхневої рекомбінації speed of superficial recombination час життя time of life |
| Дата публікації: | 2011 |
| Видавництво: | Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2011 - № 1 – 212 с. С 83 – 87. |
| Бібліографічний опис: | Уколов О.І. Надточій В.О. Калимбет А.З. Визначення швидкості поверхневої рекомбінації і її впливу на час життя нерівноважних носіїв заряду // Збірник науковіх праць фізико-математичного факультету СДПУ. [За матеріалами Всеукраїнської науково-практичної конференції "Актуальні питання науки і освіти"]. - Слов'янськ: СДПУ, 2011 - № 1 – 212 с. |
| Серія/номер: | УДК;539.4 |
| Короткий огляд (реферат): | Вимірювання структурно чутливих електрофізичних параметрів дозволяє визначити якість матеріалів для створення напівпровідникових пристроїв. У даній роботі розглянута теорія впливу швидкості поверхневої рекомбінації на час життя і довжину дифузії нерівноважних носіїв заряду в приповерхневих шарах напівпровідникового зразка. Отримані нові експериментальні результати параметрів рекомбінації нерівноважних носіїв заряду на розробленому вимірювальному пристрої з урахуванням впливу поверхні напівпровідника. |
| Опис: | Measuring structurally of sensible electrophysics parameters allows to define quality of materials for creation of semiconductor devices. In this work the considered theory of influence of speed of superficial recombination is in a time of life and length of diffusion of non-equilibrium transmitters of charge in the приповерхневих layers of semiconductor standard. The new experimental results of parameters of recombination of non-equilibrium transmitters of charge are got on the worked out measuring device taking into account influence of surface of semiconductor. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/25018 |
| Розташовується у зібраннях: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Визначення швидкості поверхневої рекомбінації.pdf | 1,97 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.