Донецький національний технічний університет
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://ea.donntu.edu.ua/jspui/handle/123456789/24996| Назва: | Формирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии |
| Автори: | Надточий, В. А. Уколов, А. И. Нечволод, Н. К. |
| Ключові слова: | Диффузия diffusion дислокация distribution поверхность surface наноструктура nanostructure |
| Дата публікації: | 2012 |
| Видавництво: | Физика и техника высоких давлений, 2012. - том 22, № 3. С. 54 – 62. |
| Бібліографічний опис: | Формирование наноструктур в Ge при условии дислокационно-поверхностной диффузии // Физика и техника высоких давлений, 2012. - том 22, № 3. С. 54 – 62. |
| Короткий огляд (реферат): | Исследовано явление низкотемпературной диффузии в Ge вдоль выходящих на поверхность дислокационных полупетель при создании градиентов напряжения под действием деформации изгиба или сжатия. Показана возможность создания на поверхности низкоразмерных атомних структур,свойства которых изучены методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и рамановской спектроскопии комбинационного рассеяния света. |
| Опис: | The phenomenon of low temperature diffusion is investigational in Ge along outcropping dislocation semiloops at creation of gradients of tension under the action of deformation of bend or compression. Possibility of creation is shown on the surface of низкоразмерных атомних structures properties of that are studied by the methods of atomic-power microscopy and romane spectroscopy of combination dispersion of light. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/24996 |
| Розташовується у зібраннях: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Формирование наноструктур в Ge при условии.pdf | 1,75 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.