Please use this identifier to cite or link to this item: http://ea.donntu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/10827
Title: Дифузійно-дислокаційна мікропластичність монокристалів Ge
Other Titles: Diffusion-DislocationMicroplastic Ge Single Crystal Below Temperature
Authors: Уколов, О.І.
Надточій, В.О.
Нечволод, М.К.
Keywords: мікропластичність
microplasticity
дислокація
dislocation
дифузія
diffusion
ультразвук
ultrasonic
Issue Date: 2010
Publisher: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Citation: О.І. Уколов,В.О. Надточій,М.К. Нечволод.Дифузійно-дислокаційна мікропластичність монокристалів Ge//Фізика і хімія твердого тіла. – 2010.- т.11, №3.- с.575-579
Abstract: В роботі на основі структурних досліджень і теоретичних розрахунків показано, що при низькотемпературному деформуванні монокристалічного Ge з одночасним УЗ опроміненням можна створювати дефектні смуги, у яких генеруються вакансійні кластери або міжвузловинні дислокаційні петлі. Зроблена теоретична оцінка енергії міграції вакансій у приповерхневих шарах з урахуванням наявності поверхні, механічних напружень та УЗ опромінення.
Description: The structural investigations of deformed at low temperatures monocrystalline Ge with simultaneous ultrasonic treatment are made. It is shown that the defective bands are created near a surface as a result of repeated loading of a crystal. The vacancy clusters and dislocation loops are generated in these bands. The calculations of the vacancy migration energy allowing for a surface, mechanical stress and ultrasonic treatment are made. The heterogeneous formation of dislocation is grounded.
URI: http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/10827
ISSN: 1729-4428
Appears in Collections:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1103-05.pdf281,06 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.