Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://ea.donntu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/10827
Название: Дифузійно-дислокаційна мікропластичність монокристалів Ge
Другие названия: Diffusion-DislocationMicroplastic Ge Single Crystal Below Temperature
Авторы: Уколов, О.І.
Надточій, В.О.
Нечволод, М.К.
Ключевые слова: мікропластичність
microplasticity
дислокація
dislocation
дифузія
diffusion
ультразвук
ultrasonic
Дата публикации: 2010
Издательство: Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника
Библиографическое описание: О.І. Уколов,В.О. Надточій,М.К. Нечволод.Дифузійно-дислокаційна мікропластичність монокристалів Ge//Фізика і хімія твердого тіла. – 2010.- т.11, №3.- с.575-579
Краткий осмотр (реферат): В роботі на основі структурних досліджень і теоретичних розрахунків показано, що при низькотемпературному деформуванні монокристалічного Ge з одночасним УЗ опроміненням можна створювати дефектні смуги, у яких генеруються вакансійні кластери або міжвузловинні дислокаційні петлі. Зроблена теоретична оцінка енергії міграції вакансій у приповерхневих шарах з урахуванням наявності поверхні, механічних напружень та УЗ опромінення.
Описание: The structural investigations of deformed at low temperatures monocrystalline Ge with simultaneous ultrasonic treatment are made. It is shown that the defective bands are created near a surface as a result of repeated loading of a crystal. The vacancy clusters and dislocation loops are generated in these bands. The calculations of the vacancy migration energy allowing for a surface, mechanical stress and ultrasonic treatment are made. The heterogeneous formation of dislocation is grounded.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/10827
ISSN: 1729-4428
Располагается в коллекциях:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
1103-05.pdf281,06 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.