Донецький національний технічний університет
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://ea.donntu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/10788| Назва: | Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках |
| Інші назви: | Features of surface diffusion in semiconductors |
| Автори: | Уколов, О.І. Любченко, І.В Уколова, Ю.В. |
| Ключові слова: | Дифузія Diffusion напівпровідник semiconductor поверхня surface |
| Дата публікації: | 2010 |
| Видавництво: | София. «Бял ГРАД БГ» ООД. |
| Бібліографічний опис: | Уколов О.І., Любченко І.В, Уколова Ю.В. Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках//Материалы за 6 – а международна научна практична конференция, «Новини на научния про-грес», - 2010. Том 6. Технологии. Математика. Съвременни тено-логии на информации. Физика. Физическа култура и спорт. с. 69 - 71 |
| Короткий огляд (реферат): | В даній роботі зроблена теоретична оцінка енергії міграції вакансій у приповерхневих шарах кристала напівпровідника з урахуванням наявності механічних напружень та ультразвукового опромінення. |
| Опис: | This work made a theoretical assessment of energy migration of vacancies in the сrystal semiconductor surface layers with the presence of mechanical stress and ultrasonic irradiation. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/10788 |
| Розташовується у зібраннях: | Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни" |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Особливості поверхневої дифузії, її експериментальні дослідження.pdf | 166,08 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.