Please use this identifier to cite or link to this item: http://ea.donntu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/10788
Title: Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках
Other Titles: Features of surface diffusion in semiconductors
Authors: Уколов, О.І.
Любченко, І.В
Уколова, Ю.В.
Keywords: Дифузія
Diffusion
напівпровідник
semiconductor
поверхня
surface
Issue Date: 2010
Publisher: София. «Бял ГРАД БГ» ООД.
Citation: Уколов О.І., Любченко І.В, Уколова Ю.В. Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках//Материалы за 6 – а международна научна практична конференция, «Новини на научния про-грес», - 2010. Том 6. Технологии. Математика. Съвременни тено-логии на информации. Физика. Физическа култура и спорт. с. 69 - 71
Abstract: В даній роботі зроблена теоретична оцінка енергії міграції вакансій у приповерхневих шарах кристала напівпровідника з урахуванням наявності механічних напружень та ультразвукового опромінення.
Description: This work made a theoretical assessment of energy migration of vacancies in the сrystal semiconductor surface layers with the presence of mechanical stress and ultrasonic irradiation.
URI: http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/10788
Appears in Collections:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"



Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.