Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: http://ea.donntu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/10788
Название: Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках
Другие названия: Features of surface diffusion in semiconductors
Авторы: Уколов, О.І.
Любченко, І.В
Уколова, Ю.В.
Ключевые слова: Дифузія
Diffusion
напівпровідник
semiconductor
поверхня
surface
Дата публикации: 2010
Издательство: София. «Бял ГРАД БГ» ООД.
Библиографическое описание: Уколов О.І., Любченко І.В, Уколова Ю.В. Особливості поверхневої дифузії у напівпровідниках//Материалы за 6 – а международна научна практична конференция, «Новини на научния про-грес», - 2010. Том 6. Технологии. Математика. Съвременни тено-логии на информации. Физика. Физическа култура и спорт. с. 69 - 71
Краткий осмотр (реферат): В даній роботі зроблена теоретична оцінка енергії міграції вакансій у приповерхневих шарах кристала напівпровідника з урахуванням наявності механічних напружень та ультразвукового опромінення.
Описание: This work made a theoretical assessment of energy migration of vacancies in the сrystal semiconductor surface layers with the presence of mechanical stress and ultrasonic irradiation.
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/10788
Располагается в коллекциях:Публікації кафедри "Загальнонаукові дисципліни"

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
Особливості поверхневої дифузії, її експериментальні дослідження.pdf166,08 kBAdobe PDFПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.