Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://ea.donntu.edu.ua:8080/jspui/handle/123456789/15910Повний запис метаданих
| Поле DC | Значення | Мова |
|---|---|---|
| dc.contributor.author | Андрюхин, А.И. | - |
| dc.contributor.author | Терещук, Д.С. | - |
| dc.contributor.author | Andruckin, A.I. | - |
| dc.contributor.author | Tereshuk, D.S. | - |
| dc.date.accessioned | 2012-11-12T10:06:55Z | - |
| dc.date.available | 2012-11-12T10:06:55Z | - |
| dc.date.issued | 2002 | - |
| dc.identifier.citation | Наукові праці Донецького національного технічного університету, серія «Інформатика, кібернетика та обчислювальна техніка»,випуск 39, Донецк, ДонНТУ, 2002 | en_US |
| dc.identifier.uri | http://ea.donntu.edu.ua/handle/123456789/15910 | - |
| dc.description | The transistors which are added into the device to simulate the different kind delays are described. Structural method is to suggested to be used for switch-level simulation of MOS structures taking into account the delays of transistors. | en_US |
| dc.publisher | ДонНТУ | en_US |
| dc.subject | Structural method | en_US |
| dc.subject | the delays of transistors | en_US |
| dc.subject | Structural method | en_US |
| dc.subject | Транзисторы | en_US |
| dc.subject | Структурный метод | en_US |
| dc.subject | задержки транзисторов | en_US |
| dc.title | СТРУКТУРНЫЙ МЕТОД УЧЕТА ВРЕМЕННЫХ ЗАДЕРЖЕК ПРИ ЛОГИЧЕСКОМ МОДЕЛИРОВАНИИ МОП-СТРУКТУР НА ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛЬНОМ УРОВНЕ | en_US |
| dc.title.alternative | Structural method of the account of delays for logic simulation of MOS-structures at a switching level. | en_US |
| dc.type | Article | en_US |
| Розташовується у зібраннях: | Випуск 39 | |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 14-20.pdf | 4,39 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.